Número de Producto del Fabricante:
GAN190-650EBEZ
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
GAN190-650EBEZ-DG
Descripción:
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 11.5A (Ta) 125W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank DFN8080-8
Inventario:
2317 Pcs Nuevos Originales En Stock
13001067
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ENVIAR
GAN190-650EBEZ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V
rds activados (máx.) @ id, vgs
190mOhm @ 3.9A, 6V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 12.2mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.8 nC @ 6 V
Vgs (máx.)
+7V, -1.4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
96 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN8080-8
Paquete / Caja
8-VDFN Exposed Pad
Número de producto base
GAN190
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
1727-GAN190-650EBEZTR
5202-GAN190-650EBEZTR
934665904332
1727-GAN190-650EBEZDKR
1727-GAN190-650EBEZCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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