Número de Producto del Fabricante:
GAN140-650EBEZ
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
GAN140-650EBEZ-DG
Descripción:
650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 17A (Ta) 113W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank DFN8080-8
Inventario:
2461 Pcs Nuevos Originales En Stock
13005803
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
GAN140-650EBEZ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
17A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V
rds activados (máx.) @ id, vgs
140mOhm @ 5A, 6V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 17.2mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
3.5 nC @ 6 V
Vgs (máx.)
+7V, -1.4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
125 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
113W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN8080-8
Paquete / Caja
8-VDFN Exposed Pad
Número de producto base
GAN140
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
1727-GAN140-650EBEZCT
1727-GAN140-650EBEZDKR
934665902332
5202-GAN140-650EBEZTR
1727-GAN140-650EBEZTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
XPJR6604PB,LXHQ
40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
PJQ4548VP-AU_R2_002A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ5542-AU_R2_002A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
