Número de Producto del Fabricante:
BUK7C08-55AITE,118
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
BUK7C08-55AITE,118-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 272W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventario:
12830319
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ENVIAR
BUK7C08-55AITE,118 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
-
Serie
TrenchMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
75A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4200 pF @ 25 V
Función FET
Current Sensing
Disipación de potencia (máx.)
272W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK-7
Paquete / Caja
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
BUK7C08-55AITE /T3-DG
BUK7C08-55AITE /T3
934057948118
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPB180N06S4H1ATMA2
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
6672
NÚMERO DE PIEZA
IPB180N06S4H1ATMA2-DG
PRECIO UNITARIO
1.78
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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