NP82N04MDG-S18-AY
Número de Producto del Fabricante:

NP82N04MDG-S18-AY

Product Overview

Fabricante:

NEC Corporation

Número de pieza:

NP82N04MDG-S18-AY-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 40V 82A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 82A (Tc) 1.8W (Ta), 143W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

4700 Pcs Nuevos Originales En Stock
13075866
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

NP82N04MDG-S18-AY Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Tube
Serie
-
Embalaje
Tube
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
82A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
150 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9000 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta), 143W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
128
Otros nombres
RENNECNP82N04MDG-S18-AY
2156-NP82N04MDG-S18-AY-NEC

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
fairchild-semiconductor

FQP12N60

MOSFET N-CH 600V 10.5A TO220-3

fairchild-semiconductor

FQI10N60CTU

MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK

fairchild-semiconductor

FQAF19N60

MOSFET N-CH 600V 11.2A TO3PF

fairchild-semiconductor

FQPF6N50

MOSFET N-CH 500V 3.6A TO220F