Número de Producto del Fabricante:
JANSR2N7389
Product Overview
Fabricante:
Microsemi Corporation
Número de pieza:
JANSR2N7389-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 6.5A TO205AF
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 6.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)
Inventario:
13249453
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ENVIAR
JANSR2N7389 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
12V
rds activados (máx.) @ id, vgs
350mOhm @ 6.5A, 12V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
45 nC @ 12 V
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C
Grado
Military
Calificación
MIL-PRF-19500/630
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-205AF (TO-39)
Paquete / Caja
TO-205AF Metal Can
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
JANSR2N7389-ND
150-JANSR2N7389
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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