Número de Producto del Fabricante:
APTC90DAM60T1G
Product Overview
Fabricante:
Microsemi Corporation
Número de pieza:
APTC90DAM60T1G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
Descripción Detallada:
N-Channel 900 V 59A (Tc) 462W (Tc) Chassis Mount SP1
Inventario:
13261068
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ENVIAR
APTC90DAM60T1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microsemi
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
900 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
59A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
60mOhm @ 52A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 6mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
540 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13600 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
462W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SP1
Paquete / Caja
SP1
Información Adicional
Paquete Estándar
100
Otros nombres
APTC90DAM60T1G-ND
150-APTC90DAM60T1G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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