Número de Producto del Fabricante:
APT80SM120J
Product Overview
Fabricante:
Microsemi Corporation
Número de pieza:
APT80SM120J-DG
Descripción:
SICFET N-CH 1200V 51A SOT227
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 51A (Tc) 273W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Inventario:
13260627
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ENVIAR
APT80SM120J Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
51A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
55mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
235 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
273W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-227
Paquete / Caja
SOT-227-4, miniBLOC
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
150-APT80SM120J
APT80SM120J-ND
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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