Número de Producto del Fabricante:
APT10M11B2VFRG
Product Overview
Fabricante:
Microsemi Corporation
Número de pieza:
APT10M11B2VFRG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 520W (Tc) Through Hole T-MAX™
Inventario:
13256794
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ENVIAR
APT10M11B2VFRG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microsemi
Embalaje
-
Serie
POWER MOS V®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 2.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
450 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10300 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
520W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
T-MAX™
Paquete / Caja
TO-247-3 Variant
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
APT10M11B2VFRG-ND
150-APT10M11B2VFRG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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