VP2106N3-G
Número de Producto del Fabricante:

VP2106N3-G

Product Overview

Fabricante:

Microchip Technology

Número de pieza:

VP2106N3-G-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 250mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3

Inventario:

2055 Pcs Nuevos Originales En Stock
12814737
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VP2106N3-G Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Bag
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
250mA (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
60 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92-3
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número de producto base
VP2106

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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