Número de Producto del Fabricante:
TN5335K1-G
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
TN5335K1-G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 350V 110MA SOT23
Descripción Detallada:
N-Channel 350 V 110mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
Inventario:
4112 Pcs Nuevos Originales En Stock
12810184
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ENVIAR
TN5335K1-G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
350 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
110mA (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
3V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
15Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
110 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
360mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23 (TO-236AB)
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
TN5335
Hoja de Datos y Documentos
Diseño/Especificación de PCN
Hojas de datos
Ensamblaje/Origen de PCN
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
TN5335K1-GTR
TN5335K1-GCT
TN5335K1-GDKR
TN5335K1-G-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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