Número de Producto del Fabricante:
TN2130K1-G
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
TN2130K1-G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB
Descripción Detallada:
N-Channel 300 V 85mA (Tj) 360mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Inventario:
5945 Pcs Nuevos Originales En Stock
12810712
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ENVIAR
TN2130K1-G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
300 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
85mA (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
25Ohm @ 120mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
50 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
360mW (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-236AB (SOT23)
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
TN2130
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Ensamblaje/Origen de PCN
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
TN2130K1-GTR
TN2130K1-G-DG
TN2130K1-GCT
TN2130K1-GDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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