Número de Producto del Fabricante:
MSC080SMA120B4
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
MSC080SMA120B4-DG
Descripción:
SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 37A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventario:
104 Pcs Nuevos Originales En Stock
12939511
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ENVIAR
MSC080SMA120B4 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
37A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 15A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
2.8V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
64 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+23V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
838 pF @ 1000 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4
Paquete / Caja
TO-247-4
Número de producto base
MSC080
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
150-MSC080SMA120B4
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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