LND150N3-G

Número de Producto del Fabricante:

LND150N3-G

Product Overview

Fabricante:

Microchip Technology

Número de pieza:

LND150N3-G-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

Descripción Detallada:

N-Channel 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3

Inventario:

4988 Pcs Nuevos Originales En Stock

12815215

Solicitar Cotización

Cantidad
Mínimo 1

(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas

ENVIAR

LND150N3-G Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Microchip Technology

Embalaje

Bag

Serie

-

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

500 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

30mA (Tj)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

0V

rds activados (máx.) @ id, vgs

1000Ohm @ 500µA, 0V

vgs(th) (máx.) @ id

-

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

10 pF @ 25 V

Función FET

Depletion Mode

Disipación de potencia (máx.)

740mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-92-3

Paquete / Caja

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Número de producto base

LND150

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

1,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Productos relacionados

infineon-technologies

IRFB3507

MOSFET N-CH 75V 97A TO220AB

infineon-technologies

IRFBL3315

MOSFET N-CH 150V 21A SUPER D2PAK

texas-instruments

CSD18504Q5AT

MOSFET N-CH 40V 50A 8VSON

texas-instruments

CSD18540Q5BT

MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON