Número de Producto del Fabricante:
JANSD2N3439L
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
JANSD2N3439L-DG
Descripción:
RH POWER BJT
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 1 A 800 mW Through Hole TO-5AA
Inventario:
12987139
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ENVIAR
JANSD2N3439L Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN
Corriente - Colector (Ic) (Max)
1 A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
350 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
2µA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
40 @ 20mA, 10V
Potencia - Máx.
800 mW
Frecuencia - Transición
-
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 200°C
Grado
Military
Calificación
MIL-PRF-19500/368
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-5AA
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
150-JANSD2N3439L
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de REACH
REACH Unaffected
Certificación DIGI
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