Número de Producto del Fabricante:
JAN2N3439P
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
JAN2N3439P-DG
Descripción:
POWER BJT
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 1 A 800 mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Inventario:
12983109
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JAN2N3439P Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Bulk
Serie
Military, MIL-PRF-19500/368
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN
Corriente - Colector (Ic) (Max)
1 A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
350 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
2µA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
40 @ 20mA, 10V
Potencia - Máx.
800 mW
Frecuencia - Transición
-
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 200°C
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-39 (TO-205AD)
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
150-JAN2N3439P
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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