Número de Producto del Fabricante:
DN3765K4-G
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
DN3765K4-G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 300mA (Tj) 2.5W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventario:
3653 Pcs Nuevos Originales En Stock
12815156
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ENVIAR
DN3765K4-G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
300mA (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
0V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8Ohm @ 150mA, 0V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
825 pF @ 25 V
Función FET
Depletion Mode
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (DPAK)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
DN3765
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Ensamblaje/Origen de PCN
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
DN3765K4-GTR
DN3765K4-GDKR
DN3765K4-GCT
DN3765K4-G-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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