Número de Producto del Fabricante:
DN2535N3-G-P013
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
DN2535N3-G-P013-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 350V 120MA TO92
Descripción Detallada:
N-Channel 350 V 120mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92 (TO-226)
Inventario:
12795593
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ENVIAR
DN2535N3-G-P013 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Tape & Box (TB)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
350 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120mA (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
0V
rds activados (máx.) @ id, vgs
25Ohm @ 120mA, 0V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
300 pF @ 25 V
Función FET
Depletion Mode
Disipación de potencia (máx.)
1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92 (TO-226)
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número de producto base
DN2535
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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