Número de Producto del Fabricante:
APTM120DA30T1G
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
APTM120DA30T1G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 657W (Tc) Chassis Mount SP1
Inventario:
13257524
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ENVIAR
APTM120DA30T1G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
31A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
360mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 2.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
560 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
14560 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
657W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SP1
Paquete / Caja
SP1
Número de producto base
APTM120
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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