Número de Producto del Fabricante:
APT56F50B2
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
APT56F50B2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 56A (Tc) 780W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Inventario:
19 Pcs Nuevos Originales En Stock
13258945
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
APT56F50B2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Tube
Serie
POWER MOS 8™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
56A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 2.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8800 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
780W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
T-MAX™ [B2]
Paquete / Caja
TO-247-3 Variant
Número de producto base
APT56F50
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
MSC040SMA120S
SICFET N-CH 1200V 64A TO268
G500P03IE
MOSFET P-CH ESD 30V 4.6A SOT-23
G090P02S
MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
