Número de Producto del Fabricante:
APT34N80LC3G
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
APT34N80LC3G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 34A TO264
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 34A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
Inventario:
13256152
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
APT34N80LC3G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
34A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
145mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.9V @ 2mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
355 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4510 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
417W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-264 [L]
Paquete / Caja
TO-264-3, TO-264AA
Número de producto base
APT34N80
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
25
Otros nombres
APT34N80LC3GMI
APT34N80LC3GMI-ND
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
NVH4L030N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
APTM10SKM05TG
MOSFET N-CH 100V 278A SP4
APTM20UM04SAG
MOSFET N-CH 200V 417A SP6
