Número de Producto del Fabricante:
APT34N80B2C3G
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
Número de pieza:
APT34N80B2C3G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 34A (Tc) 417W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Inventario:
13247744
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ENVIAR
APT34N80B2C3G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
34A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
145mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.9V @ 2mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
355 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4510 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
417W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
T-MAX™ [B2]
Paquete / Caja
TO-247-3 Variant
Número de producto base
APT34N80
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
APT34N80B2C3GMI
APT34N80B2C3GMI-ND
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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