Número de Producto del Fabricante:
VMO650-01F
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
VMO650-01F-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 690A Y3-DCB
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 690A (Tc) 2500W (Tc) Chassis Mount Y3-DCB
Inventario:
2 Pcs Nuevos Originales En Stock
12914949
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ENVIAR
VMO650-01F Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Bulk
Serie
HiPerFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
690A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.8mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
6V @ 130mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2300 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
59000 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2500W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Y3-DCB
Paquete / Caja
Y3-DCB
Número de producto base
VMO650
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2
Otros nombres
Q1434129
VMO650-01F-NDR
-VMO650-01F
VM0650-01F
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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