Número de Producto del Fabricante:
LSIC1MO120G0120
Product Overview
Fabricante:
Littelfuse Inc.
Número de pieza:
LSIC1MO120G0120-DG
Descripción:
MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 27A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventario:
12962594
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
LSIC1MO120G0120 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
27A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
150mOhm @ 14A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 7mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
63 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+22V, -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1130 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247-4L
Paquete / Caja
TO-247-4
Número de producto base
LSIC1MO120
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
-1024-LSIC1MO120G0120
18-LSIC1MO120G0120
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
STH60N099DM9-2AG
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
IXFP36N60X3
MOSFET ULTRA JCT 600V 36A TO220
BSS127IXTSA1
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
