Número de Producto del Fabricante:
IXTY1R4N120PHV
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTY1R4N120PHV-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 1.4A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
12820443
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ENVIAR
IXTY1R4N120PHV Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
Polar
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
13Ohm @ 700mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
666 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
86W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IXTY1
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
350
Otros nombres
238-IXTY1R4N120PHVTR
IXTY1R4N120PHV-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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