IXTX4N300P3HV

Número de Producto del Fabricante:

IXTX4N300P3HV

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXTX4N300P3HV-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 3000V 4A TO247PLUSHV

Descripción Detallada:

N-Channel 3000 V 4A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-247PLUS-HV

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea

12819309

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IXTX4N300P3HV Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalaje

Tube

Serie

Polar P3™

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

3000 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

4A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

12.5Ohm @ 2A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

139 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

3680 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

960W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-247PLUS-HV

Paquete / Caja

TO-247-3 Variant

Número de producto base

IXTX4

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

IXTX4N300P3HV-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

30

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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