Número de Producto del Fabricante:
IXTX200N10L2
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTX200N10L2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventario:
168 Pcs Nuevos Originales En Stock
12822042
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXTX200N10L2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
Linear L2™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 3mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
540 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
23000 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1040W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PLUS247™-3
Paquete / Caja
TO-247-3 Variant
Número de producto base
IXTX200
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXFP36N30P3
MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
IXTA15P15T
MOSFET P-CH 150V 15A TO263
IXFH16N90Q
MOSFET N-CH 900V 16A TO247AD