Número de Producto del Fabricante:
IXTX110N20L2
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTX110N20L2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 110A (Tc) 960W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventario:
700 Pcs Nuevos Originales En Stock
12820709
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ENVIAR
IXTX110N20L2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
Linear L2™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
110A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
24mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 3mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
500 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
23000 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
960W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PLUS247™-3
Paquete / Caja
TO-247-3 Variant
Número de producto base
IXTX110
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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