Número de Producto del Fabricante:
IXTU01N100
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTU01N100-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 100MA TO251
Descripción Detallada:
N-Channel 1000 V 100mA (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-251AA
Inventario:
12912874
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXTU01N100 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
80Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 25µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
54 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251AA
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
IXTU01
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
70
Otros nombres
IXTU01N100-NDR
Q1225942
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRF9Z34STRL
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
SI4480DY-T1-E3
MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
IXFP4N85X
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB
