Número de Producto del Fabricante:
IXTT1N300P3HV
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTT1N300P3HV-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 3000V 1A TO268
Descripción Detallada:
N-Channel 3000 V 1A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXTT)
Inventario:
12819652
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXTT1N300P3HV Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
Polar P3™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
3000 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
50Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
30.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
895 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
195W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-268HV (IXTT)
Paquete / Caja
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Número de producto base
IXTT1
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
-IXTT1N300P3HV
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXFH50N50P3
MOSFET N-CH 500V 50A TO247AD
IXTQ40N50Q
MOSFET N-CH 500V 40A TO3P
IXTQ42N25P
MOSFET N-CH 250V 42A TO3P
