IXTT110N10P

Número de Producto del Fabricante:

IXTT110N10P

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXTT110N10P-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 110A TO268

Descripción Detallada:

N-Channel 100 V 110A (Tc) 480W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea

12821188

Solicitar Cotización

Cantidad
Mínimo 1

zMzG

(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas

ENVIAR

IXTT110N10P Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalaje

Tube

Serie

Polar

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

100 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

110A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

15mOhm @ 500mA, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

110 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

3550 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

480W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-268AA

Paquete / Caja

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Número de producto base

IXTT110

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

30

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Productos relacionados

littelfuse

IXFN100N50Q3

MOSFET N-CH 500V 82A SOT227B

littelfuse

IXFT32N100XHV

MOSFET N-CH 1000V 32A TO268HV

littelfuse

IXTH260N055T2

MOSFET N-CH 55V 260A TO247

littelfuse

IXFH50N85X

MOSFET N-CH 850V 50A TO247