Número de Producto del Fabricante:
IXTT110N10L2-TRL
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTT110N10L2-TRL-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXTT)
Inventario:
12996358
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ENVIAR
IXTT110N10L2-TRL Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
Linear L2™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
110A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
18mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10500 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
600W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-268 (IXTT)
Paquete / Caja
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Número de producto base
IXTT110
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
400
Otros nombres
238-IXTT110N10L2-TRLTR
238-IXTT110N10L2-TRLDKR
238-IXTT110N10L2-TRLCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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