IXTR16P60P
Número de Producto del Fabricante:

IXTR16P60P

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXTR16P60P-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247
Descripción Detallada:
P-Channel 600 V 10A (Tc) 190W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™

Inventario:

12909769
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IXTR16P60P Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
PolarP™
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
790mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5120 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
190W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
ISOPLUS247™
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IXTR16

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
30

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
littelfuse

IXFN44N60

MOSFET N-CH 600V 44A SOT-227B

vishay-siliconix

IRFBF30STRR

MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

vishay-siliconix

IRF610PBF

MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB

vishay-siliconix

IRFR430ATRLPBF

MOSFET N-CH 500V 5A DPAK