Número de Producto del Fabricante:

IXTQ60N20T

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXTQ60N20T-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 200V 60A TO3P

Descripción Detallada:

N-Channel 200 V 60A (Tc) 500W (Ta) Through Hole TO-3P

Inventario:

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13270906

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IXTQ60N20T Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalaje

Tube

Serie

Trench

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

200 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

60A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

40mOhm @ 30A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

73 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

4530 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

500W (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-3P

Paquete / Caja

TO-3P-3, SC-65-3

Número de producto base

IXTQ60

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

30

Otros nombres

238-IXTQ60N20T

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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