Número de Producto del Fabricante:
IXTQ102N20T
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTQ102N20T-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 102A TO3P
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 102A (Tc) 750W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventario:
12820013
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ENVIAR
IXTQ102N20T Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
Trench
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
102A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
23mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
114 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6800 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
750W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3P
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
IXTQ102
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFP90N20DPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
574
NÚMERO DE PIEZA
IRFP90N20DPBF-DG
PRECIO UNITARIO
3.02
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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