Número de Producto del Fabricante:
IXTP80N12T2
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTP80N12T2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 120 V 80A (Tc) 325W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
13270868
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXTP80N12T2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
TrenchT2™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
120 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
17mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4740 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
325W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IXTP80
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
238-IXTP80N12T2
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXFA12N65X2-TRL
MOSFET N-CH 650V 12A TO263
IXTA4N80P-TRL
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
IXTA120P065T-TRL
MOSFET P-CH 65V 120A TO263