IXTP3N100D2

Número de Producto del Fabricante:

IXTP3N100D2

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXTP3N100D2-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB

Descripción Detallada:

N-Channel 1000 V 3A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea

12904405

Solicitar Cotización

Cantidad
Mínimo 1

(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas

ENVIAR

IXTP3N100D2 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalaje

Tube

Serie

Depletion

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

1000 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

3A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

-

rds activados (máx.) @ id, vgs

5.5Ohm @ 1.5A, 0V

vgs(th) (máx.) @ id

-

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

37.5 nC @ 5 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1020 pF @ 25 V

Función FET

Depletion Mode

Disipación de potencia (máx.)

125W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-220-3

Paquete / Caja

TO-220-3

Número de producto base

IXTP3

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

50

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Productos relacionados

diodes

ZVN3320ASTZ

MOSFET N-CH 200V 100MA E-LINE

diodes

ZVN4310GTA

MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223

diodes

ZXM64N035GTA

MOSFET N-CH 35V 4.8A/6.7A SOT223

diodes

ZXMN2069FTA

MOSFET N-CH SOT23-3