Número de Producto del Fabricante:
IXTP01N100D
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTP01N100D-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 1000 V 400mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12819679
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXTP01N100D Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
Depletion
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
400mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
0V
rds activados (máx.) @ id, vgs
80Ohm @ 50mA, 0V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 25µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.8 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
100 pF @ 25 V
Función FET
Depletion Mode
Disipación de potencia (máx.)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IXTP01
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
607074
Q1614635
IXTP01N100D-NDR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXTP2N100
MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB
IXFK73N30Q
MOSFET N-CH 300V 73A TO264AA
IXFM1766
POWER MOSFET TO-3
