IXTN170P10P
Número de Producto del Fabricante:

IXTN170P10P

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXTN170P10P-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 100V 170A SOT227B
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 170A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Inventario:

70 Pcs Nuevos Originales En Stock
12821710
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IXTN170P10P Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
Polar
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
170A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
12600 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
890W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-227B
Paquete / Caja
SOT-227-4, miniBLOC
Número de producto base
IXTN170

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
10
Otros nombres
Q7850284

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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