Número de Producto del Fabricante:
IXTL2N470
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTL2N470-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 4700V 2A I5PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 4700 V 2A (Tc) 220W (Tc) Through Hole ISOPLUSi5-Pak™
Inventario:
61 Pcs Nuevos Originales En Stock
12821125
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ENVIAR
IXTL2N470 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
4700 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
20Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
6V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6860 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
220W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
ISOPLUSi5-Pak™
Paquete / Caja
ISOPLUSi5-PAK™
Número de producto base
IXTL2
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
25
Otros nombres
-IXTL2N470
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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