Número de Producto del Fabricante:
IXTI10N60P
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTI10N60P-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 10A TO262
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventario:
12821860
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ENVIAR
IXTI10N60P Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
PolarHV™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
740mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1610 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262 (I2PAK)
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
IXTI10
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STB10N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
STB10N60M2-DG
PRECIO UNITARIO
0.75
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
STD7ANM60N
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
3584
NÚMERO DE PIEZA
STD7ANM60N-DG
PRECIO UNITARIO
0.58
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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