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Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
IXTH80N65X2
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTH80N65X2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 80A TO247
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
12821637
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ENVIAR
IXTH80N65X2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
Ultra X2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
40mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
144 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7753 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
890W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247 (IXTH)
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IXTH80
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
IXTH80N65X2
Hoja de datos HTML
IXTH80N65X2-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPW65R045C7FKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
1670
NÚMERO DE PIEZA
IPW65R045C7FKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
6.73
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
SCT3030ALGC11
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
10017
NÚMERO DE PIEZA
SCT3030ALGC11-DG
PRECIO UNITARIO
21.41
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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