Número de Producto del Fabricante:
IXTH6N120
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTH6N120-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventario:
12820862
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ENVIAR
IXTH6N120 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.6Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1950 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247 (IXTH)
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IXTH6
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STW7NK90Z
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
86
NÚMERO DE PIEZA
STW7NK90Z-DG
PRECIO UNITARIO
1.75
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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