Número de Producto del Fabricante:
IXTB30N100L
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTB30N100L-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
Descripción Detallada:
N-Channel 1000 V 30A (Tc) 800W (Tc) Through Hole PLUS264™
Inventario:
12819336
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ENVIAR
IXTB30N100L Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
Linear
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
450mOhm @ 500mA, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
545 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13200 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
800W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PLUS264™
Paquete / Caja
TO-264-3, TO-264AA
Número de producto base
IXTB30
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
25
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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