IXTA1N200P3HV-TRL
Número de Producto del Fabricante:

IXTA1N200P3HV-TRL

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXTA1N200P3HV-TRL-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV
Descripción Detallada:
N-Channel 2000 V 1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263HV

Inventario:

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IXTA1N200P3HV-TRL Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
2000 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
40Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
646 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263HV
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IXTA1

Información Adicional

Paquete Estándar
800
Otros nombres
238-IXTA1N200P3HV-TRLDKR
238-IXTA1N200P3HVTRLTR
238-IXTA1N200P3HVTRLDKR
IXTA1N200P3HVTRL
238-IXTA1N200P3HV-TRLTR
238-IXTA1N200P3HVTRLTR-ND
238-IXTA1N200P3HVTRLCT
238-IXTA1N200P3HVTRLCT-ND
238-IXTA1N200P3HV-TRLCT
238-IXTA1N200P3HVTRLDKR-ND

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
IXTT1N250HV-TRL
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXTT1N250HV-TRL-DG
PRECIO UNITARIO
31.96
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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