Número de Producto del Fabricante:
IXTA1N100
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTA1N100-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO263
Descripción Detallada:
N-Channel 1000 V 1.5A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Inventario:
12819906
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ENVIAR
IXTA1N100 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 25µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
400 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
54W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263AA
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IXTA1
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXTA1R4N100P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
20
NÚMERO DE PIEZA
IXTA1R4N100P-DG
PRECIO UNITARIO
1.38
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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