Número de Producto del Fabricante:
IXFT26N100XHV
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFT26N100XHV-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 26A TO268HV
Descripción Detallada:
N-Channel 1000 V 26A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount TO-268HV (IXFT)
Inventario:
23 Pcs Nuevos Originales En Stock
12820656
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ENVIAR
IXFT26N100XHV Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
26A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
320mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
6V @ 4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
113 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3290 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
860mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-268HV (IXFT)
Paquete / Caja
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Número de producto base
IXFT26
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
-1402-IXFT26N100XHV
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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