IXFR12N100
Número de Producto del Fabricante:

IXFR12N100

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXFR12N100-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
Descripción Detallada:
N-Channel 1000 V 10A (Tc) Through Hole ISOPLUS247™

Inventario:

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IXFR12N100 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
HiPerFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5.5V @ 4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
90 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2900 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
ISOPLUS247™
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IXFR12

Información Adicional

Paquete Estándar
30
Otros nombres
IXFR12N100-NDR
Q1157068A

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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