IXFP7N80P
Número de Producto del Fabricante:

IXFP7N80P

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXFP7N80P-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 800V 7A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

299 Pcs Nuevos Originales En Stock
12905891
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IXFP7N80P Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.44Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1890 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IXFP7N80

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
50

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

IRFL9110TRPBF

MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223

diodes

ZVN4206AV

MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3

vishay-siliconix

IRFPS37N50APBF

MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247

diodes

VN10LPSTOB

MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE