IXFN40N110Q3

Número de Producto del Fabricante:

IXFN40N110Q3

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXFN40N110Q3-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B

Descripción Detallada:

N-Channel 1100 V 35A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Inventario:

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12819834

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IXFN40N110Q3 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalaje

-

Serie

HiPerFET™, Q3 Class

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

1100 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

35A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

260mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

6.5V @ 8mA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

300 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

14000 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

960W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

SOT-227B

Paquete / Caja

SOT-227-4, miniBLOC

Número de producto base

IXFN40

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

IXFN40N110Q3-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

10

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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