Número de Producto del Fabricante:
IXFN180N25T
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFN180N25T-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 168A (Tc) 900W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventario:
85 Pcs Nuevos Originales En Stock
12819816
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXFN180N25T Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
HiPerFET™, Trench
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
168A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12.9mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 8mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
345 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
28000 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
900W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-227B
Paquete / Caja
SOT-227-4, miniBLOC
Número de producto base
IXFN180
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
10
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXFT32N50Q
MOSFET N-CH 500V 32A TO268
IXFN100N25
MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B
IXTH96N25T
MOSFET N-CH 250V 96A TO247
